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वैनेडियम स्यूसाइड, VSi2

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वैनेडियम स्यूसाइड, VSi2

धातुई प्रिज्मीय क्रिस्टल। सापेक्ष घनत्व 4.42 था। ठंडे पानी और गर्म पानी में अघुलनशील, हाइड्रोफ्लोरिक एसिड में घुलनशील, इथेनॉल, ईथर और एसिड में अघुलनशील। विधि: मैच के अनुसार सिलिकॉन के लिए वैनेडियम पेंटोक्साइड का अनुपात 1200 ℃ पर होता है, या धातु के अनुपात में होगा वैनेडियम उच्च तापमान पर सिलिकॉन के साथ वैनेडियम की प्रतिक्रिया से प्राप्त किया जा सकता है।


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रासायनिक सूत्र VSi2। आणविक भार 107.11 all धातुई प्रिज्मीय क्रिस्टल। सापेक्ष घनत्व 4.42 था। ठंडे पानी और गर्म पानी में अघुलनशील, हाइड्रोफ्लोरिक एसिड में घुलनशील, इथेनॉल, ईथर और एसिड में अघुलनशील। विधि: मैच के अनुसार 1200 डिग्री पर सिलिकॉन स्टेडियम के लिए वैनेडियम पेंटोक्साइड का अनुपात, या धातु के अनुपात में होगा वैनेडियम उच्च तापमान पर सिलिकॉन के साथ वैनेडियम की प्रतिक्रिया से प्राप्त किया जा सकता है। आवेदन: एसिड प्रतिरोध और आग प्रतिरोध के लिए इस्तेमाल किया
भौतिक विज्ञान।

1. वैनेडियम सिलेप्टिक पतली फिल्मों का विस्तार। अच्छी प्रॉपर्टी के साथ पतली लेयर सिलिकाइड्स को सीधे उच्च बीम घनत्व वाले वैनेडियम धातु आयनों के आरोपण द्वारा संश्लेषित किया जाता है। बीम के घनत्व में वृद्धि के साथ, वैनेडियम सिलिसाइड चरण बढ़ता है, और पतली सिलिकेट के रुपये का शीट प्रतिरोध स्पष्ट रूप से घट जाता है। जब बीम का घनत्व 25 μ A / cm2 होता है, तो RS 22 which के न्यूनतम मूल्य तक पहुंच जाता है, जो इंगित करता है कि निरंतर सिलिसाइड का गठन किया गया है। एक्स-रे विवर्तन विश्लेषण से पता चला है कि प्रत्यारोपित परत में V3Si, V5Si3, V3Si5 और VSi2 सहित चार प्रकार के वैनेडियम सिलिकाइड का गठन किया गया था। एनीलिंग के बाद, आरएस स्पष्ट रूप से कम हो जाता है, न्यूनतम आरएस को 9 9 तक कम किया जा सकता है, और प्रतिरोधकता 72 μ, m जितनी कम हो सकती है, जो इंगित करता है कि वैनेडियम साइलिसिस पतली परत की गुणवत्ता में और सुधार हुआ है। उच्च बीम घनत्व इंजेक्शन और एनीलिंग के बाद, वैनेडियम सिलिसाइड चरण आगे बढ़ता है। उच्च बीम घनत्व इंजेक्शन और उच्च तापमान annealing (1200 ℃) stil।

2. वैनेडियम सिलिकेट एक तरह की ध्वनि है जो सिरेमिक सामग्री को अवशोषित करती है। ध्वनि अवशोषित करने वाली संपत्ति के साथ सतह की परत आधार परत की सतह पर लेपित होती है।


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