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मैग्नीशियम सिलिसाइड, Mg2Si

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मैग्नीशियम सिलिसाइड, Mg2Si

Mg2Si Mg Si बाइनरी सिस्टम का एकमात्र स्थिर यौगिक है। इसमें उच्च गलनांक, उच्च कठोरता और उच्च लोचदार मापांक की विशेषताएं हैं। यह एक संकीर्ण बैंड गैप एन-टाइप सेमीकंडक्टर सामग्री है। इसमें ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणों, इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों, ऊर्जा उपकरणों, लेजर, अर्धचालक विनिर्माण, निरंतर तापमान नियंत्रण संचार और अन्य क्षेत्रों में महत्वपूर्ण अनुप्रयोग संभावनाएं हैं।


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चीनी नाम मैग्नीशियम सिलिकेट
अंग्रेजी नाम: मैग्नीशियम सिलिकॉन
जिन्हें मेटल बेस के नाम से भी जाना जाता है
रासायनिक सूत्र mg formula Si
आणविक भार 76.71 कैस है
अभिगमन संख्या 22831-39-6
गलनांक 1102 ℃
पानी में अघुलनशील और पानी की तुलना में घनीभूत
घनत्व: 1.94g / सेमी
अनुप्रयोग: Mg2Si Mg Si बाइनरी सिस्टम का एकमात्र स्थिर यौगिक है। इसमें उच्च गलनांक, उच्च कठोरता और उच्च लोचदार मापांक की विशेषताएं हैं। यह एक संकीर्ण बैंड गैप n- प्रकार अर्धचालक सामग्री है। इसमें ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणों, इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों, ऊर्जा उपकरणों, लेजर, अर्धचालक विनिर्माण, निरंतर तापमान नियंत्रण संचार और अन्य क्षेत्रों में महत्वपूर्ण अनुप्रयोग संभावनाएं हैं।
मैग्नीशियम साइलिसाइड (Mg2Si) एक अप्रत्यक्ष अर्धचालक है जिसमें संकीर्ण बैंड गैप है। वर्तमान में, माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उद्योग मुख्य रूप से सी सामग्री पर आधारित है। सी सब्सट्रेट पर Mg2Si पतली फिल्म बढ़ने की प्रक्रिया सी प्रक्रिया के साथ संगत है। इसलिए, Mg2Si / Si Heterojunction संरचना में महान अनुसंधान मूल्य हैं। इस पत्र में, पर्यावरण के अनुकूल Mg2Si पतली फिल्मों को सी सब्सट्रेट और मैग्नेट्रॉन स्पटरिंग द्वारा इन्सुलेट सब्सट्रेट पर तैयार किया गया था। Mg2Si पतली फिल्मों की गुणवत्ता पर एमजी फिल्म की मोटाई के प्रभाव का अध्ययन किया गया था। इस आधार पर, Mg2Si आधारित हेटेरोजंक्शन एलईडी उपकरणों की तैयारी तकनीक का अध्ययन किया गया था, और Mg2Si पतली फिल्मों के विद्युत और ऑप्टिकल गुणों का अध्ययन किया गया था। सबसे पहले, Mg फिल्मों को कमरे के तापमान पर मैग्नेट्रॉन स्पटरिंग द्वारा Si substrates पर जमा किया गया था, Si फिल्मों और Mg फिल्मों को इन्सुलेट ग्लास सब्सट्रेट पर जमा किया गया था, और फिर Mg2Si फिल्मों को कम वैक्यूम (10-1pa-10-2pa) में गर्मी उपचार द्वारा तैयार किया गया था। एक्सआरडी और एसईएम के परिणाम बताते हैं कि एकल चरण Mg2Si पतली फिल्म को 400h पर 4h के लिए annealing द्वारा तैयार किया गया है, और तैयार Mg2Si पतली फिल्म में घने, समान और निरंतर अनाज, चिकनी सतह और अच्छा क्रिस्टलीयता है। दूसरे, Mg2Si सेमीकंडक्टर फिल्म के विकास पर Mg फिल्म की मोटाई और प्रभाव Mg फिल्म की मोटाई और संबंध के बाद Mg2Si फिल्म की मोटाई के बीच के संबंध का अध्ययन किया गया। परिणाम बताते हैं कि जब एमजी फिल्म की मोटाई 2.52 μ मीटर और 2.72 μ मीटर है, तो यह अच्छा क्रिस्टलीयता और सपाटता दिखाता है। Mg2Si फिल्म की मोटाई Mg मोटाई की वृद्धि के साथ बढ़ जाती है, जो कि Mg की 0.9-1.1 गुना है। यह अध्ययन Mg2Si पतली फिल्मों पर आधारित उपकरणों के डिजाइन का मार्गदर्शन करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाएगा। अंत में, Mg2Si आधारित विषम प्रकाश उत्सर्जक उपकरणों के निर्माण का अध्ययन किया जाता है। Mg2Si / Si और Si / Mg2Si / Si Heterojunction एलईडी उपकरणों को सी सब्सट्रेट पर बनाया गया है।

Mg2Si / Si और Si / Mg2Si / Si heterostructures के विद्युत और ऑप्टिकल गुणों का अध्ययन चार प्रोबेटेस्ट सिस्टम, अर्धचालक विशेषता विश्लेषक और स्थिर / क्षणिक प्रतिदीप्ति स्पेक्ट्रोमीटर के माध्यम से किया जाता है। परिणाम बताते हैं कि: Mg2Si पतली फिल्मों की प्रतिरोधकता और शीट प्रतिरोध Mg2Si मोटाई में वृद्धि के साथ घट जाती है; Mg2Si / Si और Si / Mg2Si / Si heterostructures अच्छी यूनिडायरेक्शनल चालन विशेषताओं को दिखाते हैं, और Si / Mg2Si / Si डबल हेट्रोस्ट्रक्चर संरचना के वोल्टेज लगभग 3 V है; जब तरंग दैर्ध्य 1346 एनएम हो, तो Mg2Si / n-Si हेटेरोजंक्शन डिवाइस की फोटोलुमिनेसेंस तीव्रता सबसे अधिक होती है। जब तरंग दैर्ध्य 1346 एनएम है, तो इन्सुलेट सब्सट्रेट पर तैयार की गई Mg2Si पतली फिल्मों की फोटोलुमिनेशन तीव्रता सबसे अधिक है; विभिन्न सबस्ट्रेट्स पर तैयार की गई Mg2Si पतली फिल्मों की फोटोलुमिनेसिस के साथ तुलना में, उच्च शुद्धता वाले क्वार्ट्ज सब्सट्रेट पर तैयार Mg2Si फिल्मों में बेहतर ल्यूमिनेंस और परफॉर्मेंस मोनोक्रोमैटिक ल्यूमिनेसिंस विशेषताएं होती हैं।


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