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कोबाल्ट स्यूसाइड, CoSi2

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कोबाल्ट स्यूसाइड, CoSi2

रासायनिक सूत्र CoSi2। आणविक भार 115.11 है। गहरे भूरे रंग के ऑर्थोरोम्बिक क्रिस्टल। गलनांक 1277 ℃ है, और सापेक्ष घनत्व 5.3 है। यह 1200 ℃ में ऑक्सीकरण किया जा सकता है और इसकी सतह को नष्ट कर सकता है;


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कोबाल्ट डिसिलिसाइड
रासायनिक सूत्र CoSi2। आणविक भार 115.11 है। गहरे भूरे रंग का ऑर्थोरोम्बिक क्रिस्टल।
गलनांक 1277 ℃ है, और सापेक्ष घनत्व 5.3 है। यह 1200 ℃ में ऑक्सीकरण किया जा सकता है और इसकी सतह को नष्ट कर सकता है;

यह 300 ℃ पर क्लोरीन के साथ प्रतिक्रिया करता है। यह हाइड्रोजन फ्लोराइड, तनु और केंद्रित नाइट्रिक एसिड और सल्फ्यूरिक एसिड द्वारा क्षय होता है, और पिघली हुई मजबूत क्षार द्वारा भी गंभीर रूप से क्षय हो सकता है। यह उबलते गर्म केंद्रित हाइड्रोक्लोरिक एसिड के साथ धीरे-धीरे काम करता है। CoSi2, कम प्रतिरोधकता और अच्छी तापीय स्थिरता के साथ, व्यापक रूप से LSI में संपर्क के रूप में उपयोग किया जाता है। इसके अलावा, CoSi2 में Si के समान एक क्रिस्टल संरचना होती है, इसलिए यह epitaxial धातु सिलिकॉन की इंटरफ़ेस विशेषताओं का अध्ययन करने के लिए Si सब्सट्रेट पर एपिटैक्सियल CoSi2 / Si संरचना बना सकता है। सिलीसाइड नैनोसट्रक्ट में नैनोइलेक्ट्रॉनिक के क्षेत्रों की एक श्रृंखला में संभावित अनुप्रयोग हैं: नैनो इलेक्ट्रॉनिक सक्रिय उपकरणों को तैयार करने के लिए सेमीकंडक्टर साइलीसाइड नैनोस्ट्रक्चर (FeSi2) का उपयोग किया जा सकता है, जिसमें सिलिकॉन आधारित नैनो प्रकाश उत्सर्जक उपकरणों में बहुत महत्वपूर्ण अनुप्रयोग हो सकते हैं; और धात्विक सिलिकोसिस (CoSi2, Nisi2) का उपयोग क्वांटम कंप्यूटरों में नैनोवेयर्स के रूप में किया जा सकता है और भविष्य में दोष-सहिष्णु टेराहर्ट्ज नैनो सर्किट कंप्यूटरों में। क्योंकि सिलिकॉन सब्सट्रेट पर एपिटैक्सियल सिलिसाइड तारों को तैयार किया जा सकता है, उनके गुणों में साधारण धातु नैनोवायरों की तुलना में बहुत सुधार किया जाएगा क्योंकि कोई अनाज सीमा नहीं है; धातु का


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